Výrobca Číslo produktu:
TSM60N380CI C0G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM60N380CI C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11A ITO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventár:
12949919
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM60N380CI C0G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1040 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ITO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
TSM60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TSM60N380CI C0G-DG
TSM60N380CIC0G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIHA12N60E-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
923
ČÍSLO DIELU
SIHA12N60E-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.99
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM170N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252
DMT6008LFG-13
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
TSM500N03CP ROG
MOSFET N-CH 30V 12.5A TO252
